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BCR116S	文件：231.57 Kbytes Page：14 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR116S	文件：873.42 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ) •BCR116S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage •BCR116S:Fororientationinreelsee packa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR116T	文件：490.76 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR116W	文件：34.74 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR116W	文件：490.76 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR116W	文件：231.57 Kbytes Page：14 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR116W	文件：873.42 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ) •BCR116S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage •BCR116S:Fororientationinreelsee packa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BD116	文件：252.44 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BTS116	文件：306.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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