首页>BCR116W>规格书详情

BCR116W中文资料PDF规格书

BCR116W
厂商型号

BCR116W

参数属性

BCR116W 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

功能描述

NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

文件大小

34.74 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Siemens Ltd
企业简称

SIEMENS

中文名称

Siemens Ltd官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-9 13:48:00

晶体管资料

  • 型号:

    BCR116W

  • 别名:

    BCR116W三极管、BCR116W晶体管、BCR116W晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    DTC143ZU,RN1306,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    .1

  • wtest:

    0

BCR116W规格书详情

NPN Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R1=4.7kΩ, R2=47kΩ)

产品属性

  • 产品编号:

    BCR116WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7298
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
询价
INFINEON/英飞凌
23+
NA/
745
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
Infineon/英飞凌
22+
SOT323
163000
一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理
询价
Infineon(英飞凌)
22+
标准封装
32156
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单
询价
Infineon/英飞凌
2019+
SOT323
36000
原盒原包装 可BOM配套
询价
INFINEO
2023+
N/A
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
询价
23+
SOT-323
100
大批量供应优势库存热卖
询价
INFINEON
14+PB
SOT323
4485
原装现货!低价支持实单!贵了给接受价格!
询价
Infineon/Infineon Technologies
SOT323
162000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
INFINEON
2016+
SOT323
2605
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价