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BCR116T	文件：490.76 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR116W	文件：34.74 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor(Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR116W	文件：490.76 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR116W	文件：231.57 Kbytes Page：14 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR116W	文件：873.42 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconDigitalTransistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ) •BCR116S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage •BCR116S:Fororientationinreelsee packa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BD116	文件：252.44 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BTS116	文件：306.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUL116	文件：218.43 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUMVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusingMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesignedforuse	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BUL116D	文件：218.43 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUMVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusingMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesignedforuse	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BULD116D	文件：213.57 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUMVOLTAGEFAST-SWITCHINGNPNPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION ThedeviceismanufacturedusingMultiEpitaxialPlanartechnologyforhighswitchingspeedsandmediumvoltagecapability. ItusesaCellularEmitterstructurewithplanaredgeterminationtoenhanceswitchingspeedswhilemaintainingthewideRBSOA. Thedeviceisdesignedforuse	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
BCR116T
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
NPN Silicon Digital Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCR116T供应商更新时间2025-5-24 10:12:00

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