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BCR116S	文件：490.76 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=4.7kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：490.76 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR116S	文件：873.42 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=4.7 kΩ, R2=47 kΩ) • BCR116S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package • BCR116S: For orientation in reel see packa 文件：873.42 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR116S	文件：231.57 Kbytes Page：14 Pages	NPN Silicon Digital Transistor 文件：231.57 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR116S-E6327	文件：873.42 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=4.7 kΩ, R2=47 kΩ) • BCR116S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package • BCR116S: For orientation in reel see packa 文件：873.42 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR116S	文件：300 bytes Page：1 Pages	AF 数字晶体管 NPN硅数字晶体管 • 开关电路、逆变器、接口电路、驱动器电路\n• BCR116S：两个内部隔离的晶体管，在一个多芯片封装中具有良好的匹配性\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装\n• 符合 AEC Q101 要求;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

hFEmin：
70
ICBOmax：
100 nA
Ptotmax：
250 mW
R1 / R2：
0.1
R1：
4.7 kΩ
R2：
47 kΩ
VCBOmax：
50 V
VCE(sat)max：
0.3 V
VCEOmax：
50 V
VEBOmax：
5 V
Vi (off) max：
0.8 100µA / 5V
Vi (on)max：
0.8 V
Vi (on)min：
0.5 2mA / 0.3V
Mounting：
SMT
Polarity：
NPN (Dual)

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