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BAS116V	文件：69.09 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) MechanicalData •Case:SOT563 •CaseMaterial:MoldedPlastic,“Green”Mo	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS116V	文件：342.32 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS116V	文件：120.38 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BAS116VY	文件：203.88 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagetripleswitchingdiode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolatedtriplediodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowleakagecurrent:max.5nA •Switchingtime:typical0.8μs •Continuousreversevoltage:maxim	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116VY-Q	文件：203.46 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagetripleswitchingdiode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolatedtriplediodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowleakagecurrent:max.5nA •Switchingtime:typical0.8μs •Continuousreversevoltage:maxim	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116W	文件：56.89 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •BothnormalandPbfreeproduct	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116W	文件：145.11 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116W	文件：125.97 Kbytes Page：2 Pages	0.215A,85VSurfaceMountSmallSignalSwitchingDiode FEATURES •Lowleakagecurrentapplications. •Mediumspeedswitchingtimes. •SurfacemountpackageideallysuitedforautomaticInsertion. APPLICATINS •Highspeedswitchingapplication.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAS116WS	文件：58.71 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODE VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2nAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective •Greenmoldingcompoundasper	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116WS	文件：500.84 Kbytes Page：2 Pages	0.215A,85VSurfaceMountSmallSignalSwitchingDiode FEATURES •Lowleakagecurrentapplications. •Mediumspeedswitchingtimes. •SurfacemountpackageideallysuitedforautomaticInsertion. APPLICATINS •Highspeedswitchingapplication.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	BAS116QAZ	Nexperia/安世	22+	SOT1215	250000	原厂原装正品现货	询价
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