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BAS116T	文件：248.06 Kbytes Page：11 Pages	Singlelowleakagecurrentswitchingdiode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116TW	文件：146.49 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2nAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives MECHANICALDATA •Case:SOT-363plastic	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116UDJ	文件：103.81 Kbytes Page：4 Pages	DUALSURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE Features •Ultra-SmallSurfaceMountPackage(1.0x0.8mm) •Ultra-LowProfilePackage(0.45mm) •UltraLowLeakageCurrent(5nA@VR=75V) •LowCapacitance •IdealforBatteryPoweredPortableApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFreeGreenDe	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116V	文件：69.09 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) MechanicalData •Case:SOT563 •CaseMaterial:MoldedPlastic,“Green”Mo	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116V	文件：342.32 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116V	文件：120.38 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS116VY	文件：203.88 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagetripleswitchingdiode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolatedtriplediodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowleakagecurrent:max.5nA •Switchingtime:typical0.8μs •Continuousreversevoltage:maxim	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116VY-Q	文件：203.46 Kbytes Page：8 Pages	Low-leakagetripleswitchingdiode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolatedtriplediodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowleakagecurrent:max.5nA •Switchingtime:typical0.8μs •Continuousreversevoltage:maxim	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116W	文件：56.89 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •BothnormalandPbfreeproduct	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116W	文件：145.11 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	BAS116LSYL	Nexperia(安世)	24+	DFN1006BD2	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	BAS116LSYL		24+	N/A	64000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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深圳市毅创腾电子科技有限公司	BAS116LT1	ON		SOT23-3	1800	正品原装--自家现货-实单可谈	询价
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深圳市一线半导体有限公司	BAS116LT1	ON/ONSemiconductor/安森	24+	SOT-23	9028	新进库存/原装	询价
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深圳市赛尔通科技有限公司	BAS116LT1	ON	23+		14600		询价
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中科国际电子(深圳)有限公司	BAS116LT1	ON(安森美)	22+	NA	8000	原厂原装现货	询价

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