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BAS116W	文件：56.89 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •BothnormalandPbfreeproduct	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116W	文件：145.11 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116W	文件：125.97 Kbytes Page：2 Pages	0.215A,85VSurfaceMountSmallSignalSwitchingDiode FEATURES •Lowleakagecurrentapplications. •Mediumspeedswitchingtimes. •SurfacemountpackageideallysuitedforautomaticInsertion. APPLICATINS •Highspeedswitchingapplication.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAS116WS	文件：58.71 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODE VOLTAGE100VoltsPOWER200mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2nAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective •Greenmoldingcompoundasper	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116WS	文件：500.84 Kbytes Page：2 Pages	0.215A,85VSurfaceMountSmallSignalSwitchingDiode FEATURES •Lowleakagecurrentapplications. •Mediumspeedswitchingtimes. •SurfacemountpackageideallysuitedforautomaticInsertion. APPLICATINS •Highspeedswitchingapplication.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAS116WS-AU	文件：68.69 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODE VOLTAGE100VoltPOWER200mWatt FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2nAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •Acquirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •Leadfreeincomplianc	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV116HWF	文件：324.62 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV116HWFQ	文件：355.27 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV116T	文件：56.93 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTLOWLEAKAGEDIODE Features •SmallSurfaceMountPackage •Ultra-LowReverseLeakageCurrent(5nA@VR=75V) •LowCapacitance •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) MechanicalData •Case:SOD523 •CaseMaterial:MoldedPlastic	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAV116T	文件：373.88 Kbytes Page：5 Pages	ULTRALOWLEAKAGESURFACEMOUNTDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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产品属性

产品编号：
BAS116,235
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
215mA
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
工作温度 - 结：
150°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 75V 215MA TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BAS116,235供应商更新时间2025-7-29 16:12:00

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