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BAS116,235	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 75V 215MA TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
BAS116-AU	文件：335.38 Kbytes Page：5 Pages	SURFACEMOUNT,LOWLEAKAGESWITCHINGDIODES VOLTAGE100VoltsPOWER250mWatts FEATURES •Sufacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion. •Verylowleakagecurrent.2pAtypicalatVR=75V. •Lowcapacitance.2pFmaxatVR=0V,f=1MHz •Acqirequalitysystemcertificate:TS16949 •AEC-Q101qualified •Leadfreeincomplyw	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAS116DY	文件：207.32 Kbytes Page：9 Pages	Low-leakagedualswitchingdiode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolateddualdiodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowleakagecurrent:maximum5nA •Switchingtime:typical0.8μs •Continuousreversevoltage:maxi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116DY-Q	文件：207.19 Kbytes Page：9 Pages	Low-leakagedualswitchingdiode 1.Generaldescription Epitaxial,medium-speedswitching,electricallyisolateddualdiodeinanultrasmallSOT363 Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowleakagecurrent:maximum5nA •Switchingtime:typical0.8μs •Continuousreversevoltage:maxi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116GW	文件：207.58 Kbytes Page：11 Pages	Lowleakageswitchingdiode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116GW-Q	文件：223.1 Kbytes Page：10 Pages	Lowleakageswitchingdiode 1.Generaldescription Lowleakageswitchingdiode,encapsulatedinanSOD123smallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr=0.8μs •Lowleakagecurrent:IR=3pA •RepetitivepeakreversevoltageVRRM≤85V •Lowcapacitance:	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116H	文件：51.47 Kbytes Page：9 Pages	75V,lowleakagediodeinsmallSOD123Fpackage Generaldescription Lowleakageswitchingdiode,encapsulatedinaSOD123FsmallSMDplasticpackage. Features ■SmallandflatleadSMDplasticpackage ■Lowleakagecurrent Applications ■General-purposeswitching	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS116H	文件：804.6 Kbytes Page：10 Pages	Lowleakageswitchingdiode 1.1Generaldescription Lowleakageswitchingdiode,encapsulatedinaSOD123Fsmallandflatlead Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 1.2Featuresandbenefits SmallandflatleadSMDplasticpackage Lowleakagecurrent Excellentcoplanarityandimprovedthermalbehavior	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116HM	文件：1.05113 Mbytes Page：6 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAS116HMFH	文件：1.05161 Mbytes Page：6 Pages	SwitchingDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

产品属性

产品编号：
BAS116,235
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
215mA
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
工作温度 - 结：
150°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 75V 215MA TO236AB

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更多BAS116,235供应商更新时间2025-5-25 16:12:00

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