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BAS116LP3-7	文件：100.86 Kbytes Page：4 Pages	ULTRA-SMALL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •Ultra-SmallLeadlessSurfaceMountPackage(0.6x0.3mm) •Ultra-LowProfilePackage(0.3mm) •VeryLowLeakageCurrent •LowCapacitance •IdealforCompactBatteryPoweredPortableElectronics •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimo	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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ULTRA-SMALL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

Features •Ultra-SmallLeadlessSurfaceMountPackage(0.6x0.3mm) •Ultra-LowProfilePackage(0.3mm) •VeryLowLeakageCurrent •LowCapacitance •IdealforCompactBatteryPoweredPortableElectronics •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimo

DIODES

Diodes Incorporated

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Package：0201（0603 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

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PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
BAS116LP3-7
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
215mA
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
3pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
X3-DFN0603-2
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN

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