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BAV116HWFQ	文件：355.27 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：355.27 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAV116HWFQ-7	文件：355.27 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：355.27 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAV116HWFQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE The BAV116HWFQ is an 85V, 5nA and 3μs switching diode that is optimized for ultra-low leakage current. Ultra Low Leakage Current (5nA @ VR = 75V)\nFlat Leadframe Design for Improved Thermal Transfer\nLow Capacitance\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device\nQualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability\nPPAP Capable;	Diodes 美台半导体	Diodes
BAV116HWFQ-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123F；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD123F	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Automotive
Configuration：
Single
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
375 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
85 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
3000 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
215 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
4 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
1
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.005 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
75 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
85
TotalCapacitance CT (pF)：
2 pF
VF(V) Max @ IF=100mA：
1
IR(uA) Max @ VR=80V：
5nA@75V
Packages：
SOD123F

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更多BAV116HWFQ供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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