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BAV116HWFQ中文资料SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
BAV116HWFQ |
参数属性 | BAV116HWFQ 封装/外壳为SOD-123F;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD123F |
功能描述 | SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE |
封装外壳 | SOD-123F |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-1 21:55:00 |
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BAV116HWFQ规格书详情
描述 Description
The BAV116HWFQ is an 85V, 5nA and 3μs switching diode that is optimized for ultra-low leakage current.
特性 Features
Ultra Low Leakage Current (5nA @ VR = 75V)
Flat Leadframe Design for Improved Thermal Transfer
Low Capacitance
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
PPAP Capable
应用 Application
Mobile
Portable Electronics
Consumer Electronics
Automotive
简介
BAV116HWFQ属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的BAV116HWFQ二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
:BAV116HWFQ
- 生产厂家
:Diodes
- Compliance (Only Automotive supports PPAP)
:Automotive
- Configuration
:Single
- Polarity
:Anode
- Power Rating (mW)
:375 mW
- ESD Diodes (Y|N)
:No Y/N
- Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)
:85 V
- Reverse Recovery Time trr (ns)
:3000 ns
- Maximum Average Rectifier Current IO (mA)
:215 mA
- Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)
:4 A
- Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)
:1
- Maximum ReverseCurrent IR (µA)
:0.005 µA
- Maximum Reverse Current IR @ VR (V)
:75 V
- V(BR)R (V) Min (µA)
:85
- TotalCapacitance CT (pF)
:2 pF
- VF(V) Max @ IF=100mA
:1
- IR(uA) Max @ VR=80V
:5nA@75V
- Packages
:SOD123F
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
SOD923 |
25000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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SMD |
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DIODES/美台 |
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SMD |
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DIODES/美台 |
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SOD923 |
6000 |
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DIODES/美台 |
24+ |
N/A |
500000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
25 |
SOD923 |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
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SOD123F |
360000 |
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