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BAS116T-7-F	文件：76.66 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：76.66 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116TT1	文件：89.48 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode 文件：89.48 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS116TT1G	文件：89.48 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode 文件：89.48 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS116TW_16	文件：167.29 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES 文件：167.29 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BAS116TW_R1_00001	文件：167.29 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES 文件：167.29 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BAS116TW_R2_00001	文件：167.29 Kbytes Page：5 Pages	SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES 文件：167.29 Kbytes 页数：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BAS116UDJ_15	文件：92.74 Kbytes Page：4 Pages	DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE 文件：92.74 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116V	文件：342.32 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：342.32 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116V	文件：120.38 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：120.38 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116V_08	文件：120.38 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：120.38 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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技术参数

Peak Reverse Repetitive Voltage：
400V
Peak Reverse Recovery Time：
1000ns
Peak Reverse Current：
0.25uA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
4A
Peak Forward Voltage：
1.1@0.3AV
Operating Junction Temperature：
-65 to 150°C
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Maximum Power Dissipation：
75000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Continuous Forward Current：
0.35A
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BAS11供应商更新时间2025-8-28 16:26:00

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