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BAS116-7-F	文件：83.05 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：83.05 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116-7-F	文件：344.17 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：344.17 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116-7-F	文件：281.76 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：281.76 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116-7-F	文件：94.11 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：94.11 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116GW	文件：207.58 Kbytes Page：11 Pages	丝印：GB；Package：SOD123；Low leakage switching diode 文件：207.58 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116HM	文件：1.05113 Mbytes Page：6 Pages	Switching Diode 文件：1.05113 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BAS116HMFH	文件：1.05161 Mbytes Page：6 Pages	Switching Diode 文件：1.05161 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BAS116L	文件：679.54 Kbytes Page：12 Pages	丝印：J6；Package：DFN1006-2；Low-leakage diode 文件：679.54 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116L2	文件：535.99 Kbytes Page：3 Pages	300mW Switching Diode 文件：535.99 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
BAS116LP3_15	文件：180.62 Kbytes Page：4 Pages	ULTRA-SMALL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：180.62 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

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技术参数

Peak Reverse Repetitive Voltage：
400V
Peak Reverse Recovery Time：
1000ns
Peak Reverse Current：
0.25uA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
4A
Peak Forward Voltage：
1.1@0.3AV
Operating Junction Temperature：
-65 to 150°C
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Maximum Power Dissipation：
75000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Continuous Forward Current：
0.35A
Configuration：
Single

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更多BAS11供应商更新时间2025-8-28 16:26:00

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