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BAS116HM	文件：1.05113 Mbytes Page：6 Pages	Switching Diode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAS116HMFH	文件：1.05161 Mbytes Page：6 Pages	Switching Diode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAS116HMFHT116	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：HIGH RELIABILITY AUTOMOTIVE SWIT	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
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BAS116HYFH	文件：1.48155 Mbytes Page：8 Pages	SwitchingDiode(Lowleakage) Features Highreliability Smallmoldtype LowIR Application Generalswitching Structure Epitaxialplanar	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BAS116L	文件：83.2 Kbytes Page：4 Pages	SwitchingDiode Features •LowLeakageCurrentApplications •MediumSpeedSwitchingTimes •Availablein8mmTapeandReel UseBAS116LT1Gtoorderthe7inch/3,000unitreel •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAS116L	文件：679.54 Kbytes Page：12 Pages	Low-leakagediode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116LS	文件：218.95 Kbytes Page：10 Pages	Low-leakagediode 1.Generaldescription Low-leakagediodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Switchingtime:max.trr=3μs •Lowleakagecurrent:max.IR=5nA •Repetitivepeakreversevolt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116LS-Q	文件：219.22 Kbytes Page：10 Pages	Low-leakagediode 1.Generaldescription Low-leakagediodeinanultrasmallDFN1006BD-2(SOD882BD)leadlessSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Switchingtime:max.trr=3μs •Lowleakagecurrent:max.IR=5nA •Repetitivepeakreversevolt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116QA	文件：687.94 Kbytes Page：12 Pages	Low-leakagediode	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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