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BAS116Q-7-F	文件：281.76 Kbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：281.76 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116QA	文件：687.94 Kbytes Page：12 Pages	丝印：Z110；Package：DFN1010D-3；Low-leakage diode 文件：687.94 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116RFG	文件：206.57 Kbytes Page：4 Pages	225mW, SMD Switching Diode 文件：206.57 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
BAS116T	文件：76.66 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：76.66 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116T	文件：248.06 Kbytes Page：11 Pages	丝印：ZY；Package：SC-75；Single low leakage current switching diode 文件：248.06 Kbytes 页数：11 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS116T_1	文件：76.66 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：76.66 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116T_15	文件：82.22 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：82.22 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116T-7-F	文件：76.66 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE 文件：76.66 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BAS116TT1	文件：89.48 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode 文件：89.48 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS116TT1G	文件：89.48 Kbytes Page：3 Pages	Switching Diode 文件：89.48 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard (Q on Request)
Configuration：
Triple
Polarity：
Anode
Power Rating (mW)：
350 mW
N)：
No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)：
100 V
Reverse Recovery Time trr (ns)：
4 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)：
200 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
4 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)：
0.715 mA
Maximum ReverseCurrent IR (µA)：
0.5 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)：
0.5 V
V(BR)R (V) Min (µA)：
100
TotalCapacitance CT (pF)：
1.5 pF
VF(V) Max @ IF=1.0mA：
0.715
IR(uA) Max @ VR=80V：
0.5
Packages：
SOT563

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更多BAS1供应商更新时间2025-10-10 9:11:00

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