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BAS116T_1

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:76.66 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116TT1G

Switching Diode

Features • Low Leakage Current Applications • Medium Speed Switching Times • Available in 8 mm Tape and Reel • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

文件:89.48 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BAS116T_15

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:82.22 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116TT1

Switching Diode

文件:89.48 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BAS116TT1G

Switching Diode

文件:89.48 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BAS116TT1G

Package:SC-75,SOT-416;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 75V 200MA SC75

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    BAS116T_1

  • 功能描述:

    二极管 - 通用,功率,开关 Diode Std Recovery Rectifier 85V 0.215A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 产品:

    Switching Diodes

  • 峰值反向电压:

    600 V

  • 正向连续电流:

    200 A

  • 最大浪涌电流:

    800 A

  • 恢复时间:

    2000 ns

  • 正向电压下降:

    1.25 V

  • 最大反向漏泄电流:

    300 uA

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    ISOTOP

  • 封装:

    Tube

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更多BAS116T_1供应商 更新时间2025-10-4 15:08:00