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BAS116T

丝印:ZY;Package:SC-75;Single low leakage current switching diode

文件:248.06 Kbytes 页数:11 Pages

NEXPERIA

安世

BAS116T_1

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:76.66 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116T_15

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:82.22 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116T-7-F

SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE

文件:76.66 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

BAS116TT1

Switching Diode

文件:89.48 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BAS116TT1G

Switching Diode

文件:89.48 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BAS116TW_16

SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES

文件:167.29 Kbytes 页数:5 Pages

PANJIT

強茂

BAS116TW_R1_00001

SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES

文件:167.29 Kbytes 页数:5 Pages

PANJIT

強茂

BAS116TW_R2_00001

SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES

文件:167.29 Kbytes 页数:5 Pages

PANJIT

強茂

BAS116UDJ_15

DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE

文件:92.74 Kbytes 页数:4 Pages

DIODES

美台半导体

技术参数

  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):

    45V

  • 电流 - 平均整流(Io):

    750mA(DC)

  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:

    600mV @ 200mA

  • 速度:

    快速恢复 = 200mA(Io)

  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:

    10µA @ 45V

  • 不同 Vr,F 时的电容:

    10pF @ 10V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    SC-79,SOD-523

  • 供应商器件封装:

    PG-SC79-2

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
2023+
SOT23
3000
一级代理优势现货,全新正品直营店
询价
ADI
23+
PG-SC79-2
8000
只做原装现货
询价
ADI
23+
PG-SC79-2
7000
询价
INFINEON/英飞凌
24+
SOT23
20000
只做正品原装现货
询价
恩XP
24+
SOD-323
120000
NXP一级代理商原装进口现货,假一赔十
询价
MasterAppliance
5
全新原装 货期两周
询价
12+
SOT223
15000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
询价
恩XP
20+
SOT143
11520
特价全新原装公司现货
询价
ON
21+
SOT23-3
6000
询价
ON/安森美
2022+
285000
全新原装 货期两周
询价
更多BAS供应商 更新时间2025-12-17 15:14:00