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BAR63	文件：40.45 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PIN Diode Features ● PIN diode for high speed switching of RF signals ● Low forward resistance ● Very low capacitance ● For frequencies up to 3 GHz 文件：40.45 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BAR63	文件：80.63 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PIN Diode (PIN diode for high speed switching of RF signals Low forward resistance Very low capacitance For frequencies up to 3 GHz) ● PIN diode for high speed switching of RF signals ● Low forward resistance ● Very low capacitance ● For frequencies up to 3 GHz 文件：80.63 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BAR63-02L	文件：497.65 Kbytes Page：9 Pages	丝印：G；Package：TSLP-2-1；Silicon PIN Diodes ● PIN diode for high speed switching of RF signals ● Very low forward resistance (low insertion loss) ● Very low capacitance (high isolation) ● For frequencies up to 3GHz 文件：497.65 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BAR63-02V	文件：497.65 Kbytes Page：9 Pages	丝印：G；Package：SOD-523；Silicon PIN Diodes ● PIN diode for high speed switching of RF signals ● Very low forward resistance (low insertion loss) ● Very low capacitance (high isolation) ● For frequencies up to 3GHz 文件：497.65 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BAR63-02W	文件：497.65 Kbytes Page：9 Pages	丝印：GG；Package：SCD80；Silicon PIN Diodes ● PIN diode for high speed switching of RF signals ● Very low forward resistance (low insertion loss) ● Very low capacitance (high isolation) ● For frequencies up to 3GHz 文件：497.65 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BAR63-02W	文件：24.68 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PIN Diode (PIN diode for high speed switching of RF signals, Low forward resistance, small capacitance small inductance) Silicon PIN Diode • PIN diode for high speed switching of RF signals • Low forward resistance, small capacitance small inductance • Very low capacitance • For frequencies up to 3 GHz 文件：24.68 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BAR63-03	文件：52.17 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PIN Diode (PIN diode for high speed switching of RF signals Low forward resistance Very low capacitance For frequencies up to 3 GHz) ● PIN diode for high speed switching of RF signals ● Low forward resistance ● Very low capacitance ● For frequencies up to 3 GHz 文件：52.17 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BAR63-03W	文件：52.17 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PIN Diode (PIN diode for high speed switching of RF signals Low forward resistance Very low capacitance For frequencies up to 3 GHz) ● PIN diode for high speed switching of RF signals ● Low forward resistance ● Very low capacitance ● For frequencies up to 3 GHz 文件：52.17 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BAR63-03W	文件：497.65 Kbytes Page：9 Pages	丝印：G；Package：SOD-323；Silicon PIN Diodes ● PIN diode for high speed switching of RF signals ● Very low forward resistance (low insertion loss) ● Very low capacitance (high isolation) ● For frequencies up to 3GHz 文件：497.65 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BAR63-04	文件：497.65 Kbytes Page：9 Pages	丝印：G4s；Package：SOT-23；Silicon PIN Diodes ● PIN diode for high speed switching of RF signals ● Very low forward resistance (low insertion loss) ● Very low capacitance (high isolation) ● For frequencies up to 3GHz 文件：497.65 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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技术参数

Product Polarity：
PNP
SMD/ThroHole：
SMD
VCEO (V)：
-32
VCBO (V)：
-40
VEBO (V)：
-5.0
IC (A)：
-1.0
PC (W)：
0.5
HFE：
180-390
@IC (mA)：
-100
@VCE (V)：
-3.0
ICBO：
-0.5 µA
IEBO：
-0.5 µA
VCE(sat) (V)：
-0.5
VBE(sat) (V)：
FT (MHz)：
150
Package Qty：
Tape
FIT：
48; Tj=100℃

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