AD8512ARMZ芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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AD8512ARMZ	文件：380.92 Kbytes Page：21 Pages	丝印：B8A；Package：MSOP；Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers FEATURES Fast settling time: 500 ns to 0.1% Low offset voltage: 400 μV maximum Low TCVOS: 1 μV/°C typical Low input bias current: 25 pA typical at VS = ±15 V Dual-supply operation: ±5 V to ±15 V Low noise: 8 nV/√Hz typical at f = 1 kHz Low distortion: 0.0005% No phase reversal Unity-ga 文件：380.92 Kbytes 页数：21 Pages	AD 亚德诺	AD
AD8512ARMZ-REEL	文件：380.92 Kbytes Page：21 Pages	丝印：B8A；Package：MSOP；Precision, Very Low Noise, Low Input Bias Current, Wide Bandwidth JFET Operational Amplifiers FEATURES Fast settling time: 500 ns to 0.1% Low offset voltage: 400 μV maximum Low TCVOS: 1 μV/°C typical Low input bias current: 25 pA typical at VS = ±15 V Dual-supply operation: ±5 V to ±15 V Low noise: 8 nV/√Hz typical at f = 1 kHz Low distortion: 0.0005% No phase reversal Unity-ga 文件：380.92 Kbytes 页数：21 Pages	AD 亚德诺	AD
B8A5	文件：1.37007 Mbytes Page：2 Pages	SILICON GENERAL PURPOSE 2.0 AMP DIODES SILICON GENERAL PURPOSE 2.0 AMP DIODES 文件：1.37007 Mbytes 页数：2 Pages	EDAL	EDAL

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更多B8A供应商更新时间2026-1-18 9:03:00