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AP3607FNTR-G1	文件：1.01949 Mbytes Page：16 Pages	丝印：B1C；Package：QFN-3X3-16；4/6 CHANNEL CHARGE PUMP CURRENT SINK FOR LED DRIVER Features  Regulated Output Current with ±3 Matching  Drives up to 4 WLEDs at 20mA Each (AP3606) Drives up to 6 WLEDs at 20mA Each (AP3607)  16 Steps Brightness Control Using Pulse Signal Dimming  Wide Operating Voltage Range: 2.7V to 5.5V  High Operating Frequency: 1MHz  Auto 1x/1.5x 文件：1.01949 Mbytes 页数：16 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MBRS1100T3G	文件：168.37 Kbytes Page：5 Pages	丝印：B1C；Package：SMB；Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package Schottky Power Rectifiers employ the use of the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or 文件：168.37 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBRS81100NT3G	文件：168.37 Kbytes Page：5 Pages	丝印：B1C；Package：SMB；Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package Schottky Power Rectifiers employ the use of the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or 文件：168.37 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBRS81100T3G	文件：168.37 Kbytes Page：5 Pages	丝印：B1C；Package：SMB；Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package Schottky Power Rectifiers employ the use of the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or 文件：168.37 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBRS81100T3G-VF01	文件：168.37 Kbytes Page：5 Pages	丝印：B1C；Package：SMB；Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package Schottky Power Rectifiers employ the use of the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or 文件：168.37 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TP2111-CR	文件：801.57 Kbytes Page：18 Pages	丝印：B1CYW；Package：5-PinSC70；Nanopower 300nA, 1.8V, Rail-to-Rail Input/Output Op-amps 文件：801.57 Kbytes 页数：18 Pages	3PEAK 思瑞浦	3PEAK
B1C1-APSA	文件：113.01 Kbytes Page：8 Pages	LED lamps 文件：113.01 Kbytes 页数：8 Pages	EVERLIGHT 台湾亿光	EVERLIGHT
B1CERR000067	文件：6.61144 Mbytes Page：67 Pages	Service Manual 文件：6.61144 Mbytes 页数：67 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
B1CFML000007	文件：6.61144 Mbytes Page：67 Pages	Service Manual 文件：6.61144 Mbytes 页数：67 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
B1CFRG000069	文件：6.61144 Mbytes Page：67 Pages	Service Manual 文件：6.61144 Mbytes 页数：67 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC

详细参数

型号：
B1C
功能描述：
DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
系列：
-
标准包装：
100
二极管类型：
标准电压
-(Vr)（最大）：
50V 电流 -
平均整流(Io)：
6A 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
1.4V @ 6A
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
反向恢复时间(trr)：
300ns 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
15µA @ 50V 电容@ Vr,
F：
-
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商设备封装：
DO-203AA
包装：
散装
其它名称：
*1N3879

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