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CCM1310	文件：182.19 Kbytes Page：2 Pages	PowerEntryModules	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司	MACOM
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CDCLVC1310RHBR	文件：1.25985 Mbytes Page：28 Pages	Ten-OutputLow-JitterLow-PowerClockBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CEB1310S	文件：930.29 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,85A,RDS(ON)=8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB1310SL	文件：499.33 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,88A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1310S	文件：440.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,74A,RDS(ON)=8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1310SL	文件：502.35 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,76A,RDS(ON)=8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=11.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEEH1310	文件：145.31 Kbytes Page：2 Pages	CurrentSenseTransformerType:CEEH>Series>	SUMIDASumida America Components Inc. 胜美达电子	SUMIDA

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产品属性

产品编号：
B131024
制造商：
Botron Company Inc.
类别：
静电控制，防静电，ESD，无尘室产品 > 静电控制屏蔽包，防静电袋、物料
系列：
B13000
包装：
袋
类型：
静电屏蔽袋
金属层：
内层
静电放电屏蔽：
<50nJ
闭合系统：
用户定义的 - 夹，热密封，磁带
厚度：
3.0 mil（76.2 微米）
长度 - 内部：
24"（609.6mm）
宽度 - 内部：
10"（254mm）
拉伸强度：
5500 psi
颜色：
银
描述：
B131024 CLEAR SILVER SHIELD-IT M

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