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CED1310S

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 74A, RDS(ON) = 8mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant

文件:440.64 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CED1310SL

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 76A, RDS(ON) = 8 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 11.5mW @VGS = 4.5V.

文件:502.35 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

CED1310S

N Channel MOSFET

CET

华瑞

CED1310SL

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    100

  • Rds(on)mΩ@10V:

    8

  • ID(A):

    74

  • Qg(nC)@10V(typ):

    38

  • RθJC(℃/W):

    1.6

  • Pd(W):

    78

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET
23+
TO251
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CET
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CET华瑞
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CET/華瑞
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TO220
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全新原装正品现货,支持订货
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CET
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TO-251
50000
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C
TO-252
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十年配单,只做原装
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CET/華瑞
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CET/華瑞
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CED
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更多CED1310S供应商 更新时间2025-12-16 10:50:00