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IPI06N03LA	文件：347.1 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •N-channel •Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPS06N03LB	文件：313.44 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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NDT06N03	文件：1.49366 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PJ06N03D	文件：145.62 Kbytes Page：4 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJD06N03	文件：145.46 Kbytes Page：4 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=6mΩ •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@30A=9mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SPD06N03LA	文件：902.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel20-V(D-S)175CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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