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B772	文件：1.89321 Mbytes Page：4 Pages	丝印：B772；Package：SOT-223；SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Power Dissipation:1.25W Low Collector-emitter Saturation Voltage 文件：1.89321 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
B772	文件：22.98 Kbytes Page：1 Pages	PNP TRANSISTOR ● AF OUTPUT AMPLIFIER ● FOR DC-DC CONVERTER ● FOR CAMERA MOTOR DRIVER 文件：22.98 Kbytes 页数：1 Pages	STANSON 司坦森	STANSON
B772	文件：90.23 Kbytes Page：8 Pages	PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR Description The device is a PNP transistor manufactured by using planar Technology resulting in rugged high performance devices. The complementary NPN type is 2SD882. Features ■ High current ■ Low saturation voltage ■ Complement to 2SD882 Applications ■ Voltage regulation ■ Relay driver ■ 文件：90.23 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
B772	文件：482.62 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Low speed switching 文件：482.62 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
B772	文件：34.93 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM: 625 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM: -3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：34.93 Kbytes 页数：1 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
B772	文件：384.72 Kbytes Page：2 Pages	PNP Type Plastic Encapsulate Transistors Features * Power Dissipation: PCM: 625 mW (Tamb=25 °C) 文件：384.72 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
B772	文件：272.29 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SB772 is PNP silicon transistor suited for the output stage of 3 W audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver. FEATURES • Low saturation voltage VCE(sat) ≤ −0.5 V (IC = −2 A, IB = −0.2 A) • Excellent hFE linearity and high hFE hFE = 60 to 400 文件：272.29 Kbytes 页数：3 Pages	NEC 瑞萨	NEC
B772	文件：76.74 Kbytes Page：5 Pages	Audio Frequency Power Amplifier Audio Frequency Power Amplifier • Low Speed Switching • Complement to KSD882 文件：76.74 Kbytes 页数：5 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
B772	文件：264.46 Kbytes Page：7 Pages	PNP (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING) Audio Frequency Power Amplifier • Low Speed Switching • Complement to KSD882 文件：264.46 Kbytes 页数：7 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
B772	文件：46.98 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR. DESCRIPTION The UTC 2SB772 is a medium power low voltage transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage regulator. FEATURES * High current output up to 3A * Low saturation voltage * Complement to 2SD882 文件：46.98 Kbytes 页数：2 Pages	UTC 友顺	UTC

晶体管资料

型号：
B772
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
PNP
性质：
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
40
htest：
999900
atest：
3
wtest：
10

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
PNP
V(BR)CEO(V)min.：
30
IC(A)：
3
hFEmin.：
60
hFEmax.：
400
VCE (sat)(V)：
0.5
IB(mA)：
200
fT(MHz)min.：
80(typ)
PD(W)max.：
1.25
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-55
ECCN(US)：
EAR99
Category：
双极型晶体管

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