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BB-2302	文件：117.34 Kbytes Page：2 Pages	InsulKrimp??PiggybackQuickDisconnect,Tab6.35mm(.250)by0.81mm(.032),14-16AWG,BlueInsulator,Tape	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BB-2302T	文件：116.13 Kbytes Page：2 Pages	InsulKrimp??PiggybackQuickDisconnect,Tab6.35mm(.250)by0.81mm(.032),14-16AWG,BlueInsulator,Tape	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BC2302	文件：2.67155 Mbytes Page：5 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS Description TheBC2302usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V. ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. DS(ON), Application Batteryprotection Loadswitch Uni	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BC2302ET	文件：416.55 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET Feature ⚫20VN-ChannelMOSFETHighDenseDesign. ⚫RDS(ON)=280m(typ.)@VGS=4.5V ⚫RDS(ON)=360m(typ.)@VGS=2.5V ⚫ReliableandRugged ⚫ESDProtected Applications ⚫PortableEquipmentandBatteryPowerSystems	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BC2302W	文件：241.72 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE ⚫TrenchFETPowerMOSFET APPLICATIONS ⚫LoadSwitchforPortableDevices ⚫DC/DCConverter	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BLM2302	文件：224.26 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
BM2302	文件：51.16 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel1.25-W,2.5-VMOSFET	booklyBookly Micro electronic 百力微电子上海百力微电子股份有限公司	bookly
BU2302	文件：301.7 Kbytes Page：13 Pages	CRtimer	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU2302F	文件：301.7 Kbytes Page：13 Pages	CRtimer	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CES2302	文件：411.55 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,3.0A,RDS(ON)=72mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2302	文件：1.8833 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2302A	文件：672.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,4.4A,RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=70mW@VGS=2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant. RDS(ON)=110mW@VGS=1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHT2302PT	文件：305.65 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT2.8Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-59/SOT-346) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION *	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CHT2302WPT	文件：323.19 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO
CJ2302	文件：423.04 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJ2302	文件：1.17878 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJ2302S	文件：1.5483 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CJ2302S	文件：1.19667 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CM2302	文件：218.38 Kbytes Page：1 Pages	T-13/4Bi-PinBase(.125) T-13/4Bi-PinBase(.125)	CML Chicago Miniature Lamp,inc	CML
CM2302	文件：220.86 Kbytes Page：1 Pages	T-13/4Bi-PinBase(.125)	CML Chicago Miniature Lamp,inc	CML

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更多AUIRS2302STRPBF供应商更新时间2024-9-23 14:04:00

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