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AUIRFL024NTR

Advanced Planar Technology Low On-Resistance

V(BR)DSS 55V RDS(on) max. 75mΩ ID 2.8A Description Specifically designed for Automotive applications, this cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching s

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IRF

AUIRFR024N

Low On-Resistance

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未分类制造商

AUIRFR024N

Low On-Resistance

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INFINEON

英飞凌

AUIRFR024N

Advanced Planar Technology

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IRF

详细参数

  • 型号:

    AUIRFL024NTR

  • 功能描述:

    MOSFET Automotive MOSFET 55V, 2.8A, 75 mOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多AUIRFL024NTR供应商 更新时间2026-1-27 14:14:00