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AUIRFS3006

HEXFETPower MOSFET

文件:245.04 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

AUIRFS3006

Advanced Process Technology

文件:673.25 Kbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

AUIRFS3006

Power-MOSFET-20V-800V Automotive MOSFET-50V-80V N-Channel Automotive MOSFET

Infineon

英飞凌

AUIRFS3006-7P

Ultra Low On-Resistance

文件:687.91 Kbytes 页数:10 Pages

INFINEON

英飞凌

AUIRFS3006-7P

HEXFETPower MOSFET

文件:251.5 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

AUIRFS3006-7TRL

HEXFETPower MOSFET

文件:251.5 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

AUIRFS3006-7TRR

HEXFETPower MOSFET

文件:251.5 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

AUIRFS3006TRL

HEXFETPower MOSFET

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IRF

AUIRFS3006TRR

HEXFETPower MOSFET

文件:245.04 Kbytes 页数:12 Pages

IRF

AUIRFS3006-7P

60 V、N 通道、最大 2.1 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK 7 引脚、Gen 10.7

这款 HEXFET ®功率 MOSFET 专为汽车应用而设计,采用最新的处理技术,实现了单位硅面积极低的导通电阻。其他特性包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些属性使其成为汽车和其他各种应用的高效可靠的选择。 • 先进的工艺技术\n • 超低导通电阻\n • 动态 dV/dT 额定值\n • 工作温度为 175°C\n • 快速切换\n • 允许重复雪崩直至 Tjmax\n • 无铅,符合 RoHS 标准\n • 符合汽车行业标准\n • 支持 PPAP 的设备;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Ptotmax:

    375 W

  • Qgd:

    60 nC

  • QG(typ @10V):

    200 nC

  • QG(typ @10V) max:

    300 nC

  • RDS (on)(@10V) max:

    2.1 mΩ

  • RthJCmax:

    0.4 K/W

  • Tjmax:

    175 °C

  • VDSmax:

    60 V

  • VGS(th)min:

    2 V

  • VGS(th)max:

    4 V

  • VGSmax:

    20 V

  • Mounting:

    SMD

  • Package:

    D2PAK7PD2PAK7P

  • Operating Temperature:

    -55 °C to 175 °C

  • Technology:

    Gen 10.7

  • Polarity:

    N

  • Moisture Sensitivity Level:

    1

  • Qualification:

    Automotive

  • Budgetary Price €/1k:

    2.99

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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