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AUIRFR3504	文件：233.87 Kbytes Page：13 Pages	Low On-Resistance 文件：233.87 Kbytes 页数：13 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AUIRFR3504	文件：690.56 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：690.56 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRFR3504	文件：233.87 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET? Power MOSFET 文件：233.87 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRFR3504	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车Q101 40V单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装 \n优势:\n• 先进平面工艺\n• 动态的dv/dt额定值\n• 175°C 的工作温度\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 允许重复雪崩达到 Tjmax\n• 无铅，符合 RoHS\n• 通过汽车认证;	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRFR3504TR	文件：233.87 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET? Power MOSFET 文件：233.87 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRFR3504TRL	文件：233.87 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET? Power MOSFET 文件：233.87 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRFR3504TRL	文件：690.56 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：690.56 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
AUIRFR3504TRR	文件：233.87 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET? Power MOSFET 文件：233.87 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
AUIRFR3504Z	文件：4.98423 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE 文件：4.98423 Mbytes 页数：11 Pages	KERSEMI	KERSEMI
AUIRFR3504Z	文件：669.83 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：669.83 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

RDS (on)(@10V) max：
9.2mΩ
QG(typical) ：
48.0nC
VDS max：
40.0V
ID (@ TC=100°C) max：
61.0A
ID max：
61.0A
ID (@ TC=25°C) max：
87.0A
RthJC max：
1.09K/W
Ptot max：
140.0W
Moisture Sensitivity Level ：
1
Mounting ：
SMD
Polarity ：
N
Qgd ：
13.0nC
VGS max：
20.0V
Tj max：
175.0°C

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更多AUIRFR3504供应商更新时间2026-1-28 10:20:00

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