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AUIRF1404STRL	文件：309.58 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVE GRADE Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET p 文件：309.58 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AUIRF1404STRL	文件：233.99 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET p 文件：233.99 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
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AUIRF1404Z	文件：367.91 Kbytes Page：15 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：367.91 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
AUIRF1404Z	文件：367.91 Kbytes Page：15 Pages	Low On-Resistance 文件：367.91 Kbytes 页数：15 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
AUIRF1404STRL
功能描述：
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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