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BF861	文件：102.16 Kbytes Page：12 Pages	N-channeljunctionFETs DESCRIPTION N-channelsymmetricaljunctionfieldeffecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Hightransferadmittance •Lowinputcapacitance •Lowfeedbackcapacitance •Lownoise. APPLICATIONS •PreamplifiersforAMtunersincarradios.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF861A	文件：102.16 Kbytes Page：12 Pages	N-channeljunctionFETs DESCRIPTION N-channelsymmetricaljunctionfieldeffecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Hightransferadmittance •Lowinputcapacitance •Lowfeedbackcapacitance •Lownoise. APPLICATIONS •PreamplifiersforAMtunersincarradios.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF861A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF861B	文件：102.16 Kbytes Page：12 Pages	N-channeljunctionFETs DESCRIPTION N-channelsymmetricaljunctionfieldeffecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Hightransferadmittance •Lowinputcapacitance •Lowfeedbackcapacitance •Lownoise. APPLICATIONS •PreamplifiersforAMtunersincarradios.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF861B	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BF861C	文件：102.16 Kbytes Page：12 Pages	N-channeljunctionFETs DESCRIPTION N-channelsymmetricaljunctionfieldeffecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Hightransferadmittance •Lowinputcapacitance •Lowfeedbackcapacitance •Lownoise. APPLICATIONS •PreamplifiersforAMtunersincarradios.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF861C	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BLF861	文件：167.54 Kbytes Page：12 Pages	UHFpowerLDMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodelateralD-MOSpush-pulltransistorinanSOT540Apackagewithceramiccap.Thecommonsourceisconnectedtothemountingflange. FEATURES •Highpowergain •Easypowercontrol •Excellentruggedness •SourceonundersideeliminatesDCisolator	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF861A	文件：114.8 Kbytes Page：16 Pages	UHFpowerLDMOStransistor DESCRIPTION SiliconN-channelenhancementmodelateralD-MOSpush-pulltransistorinaSOT540Apackagewithceramiccap.Thecommonsourceisconnectedtothemountingflange. FEATURES •Highpowergain •Easypowercontrol •Excellentruggedness •Designedtowithstandabruptloadmismatch	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLF861A	文件：18.26 Kbytes Page：1 Pages	UHFPOWERLDMOSTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIBLF861AiaaSiliconN-channelenhancementmodelateralD-MOSpush-pulltransistor. FEATURES: •Internalinput-outputmatching •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI

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详细参数

型号：
ATTINY861-ESMZ
制造商：
ATMEL
制造商全称：
ATMEL Corporation
功能描述：
8-bit Microcontroller with 2/4/8K Bytes In-System Programmable Flash

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