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BU806	文件：59.97 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMVOLTAGENPNFASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BU806	文件：104.59 Kbytes Page：4 Pages	8.0AMPEREDARLINGTONNPNPOWERTRANSISTORS60WATTS200VOLTS ThisDarlingtontransistorisahighvoltage,highspeeddeviceforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sandCRT’s. •HighVoltage:VCEV=330or400V •FastSwitchingSpeed: tc=1.0µs(max) •LowSaturationVoltage: VCE(sat)=1.5V(max) •PackagedinJEDECTO–220AB •Da	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BU806	文件：110.55 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(8.0A,150-200V,60W)	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
BU806	文件：116.49 Kbytes Page：3 Pages	FASTSWITCHINGDARLINGTONTRANSISTOR	bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半导体公司	boca
BU806	文件：41.34 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor HighVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor •UsingInHorizontalOutputStagesof110°CrtVideoDisplays •BUILT-INSPEED-UPDiodeBetweenBaseandEmitter	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BU806	文件：108.33 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU806	文件：74.45 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUMVoltage&FastSwitchingDarlingtonTransistor DESCRIPTION ThedevicesaresiliconEpitaxialPlanarNPNpowertransistorsinDarlingtonconfigurationwithintegratedbase-emitterspeed-updiode,mountedinTO-220plasticpackage. Theycanbeusedinhorizontaloutputstagesof110oCRTvideodisplays.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
BU806	文件：347.01 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBU806andBU807typesareNPNSiliconDarlingtonTransistorsdesignedforhighvoltage,highcurrent,fastswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BU806	文件：134.5 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •DesignedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsinTV’sand CRT’s.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BU806	文件：347.35 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORv	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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详细参数

型号：
ASRD806T
制造商：
ASI
制造商全称：
ASI
功能描述：
SURFACE MOUNT STEP RECOVERY DIODE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ASRD806T供应商更新时间2025-7-14 15:01:00

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