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BR806G	文件：98.67 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000VoltsFORWARDCURRENT-8.0Amperes FEATURES ●Surgeoverloadrating-175amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Smallsize;simpleinstallation ●Sliverplatedcopperleads ●Mountingposition:Any	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BR806G	文件：350.52 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BR806G	文件：144.01 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
BS806B	文件：167.58 Kbytes Page：21 Pages	TouchKey TheBS801B/02B/04B/06B/08Barearangeof1to8keytouchkeydeviceswhichcandetecthumanbodycontactusingexternaltouchpads.Thehighlevelofdeviceintegrationenableapplicationstobeimplementedwithaminimumnumberofexternalcomponents. Operatingvoltage:2.2V~5.5V Ultra	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰合泰半导体	Holtek
BS806C	文件：181.22 Kbytes Page：21 Pages	TouchKey GeneralDescription TheBS801C/02C/04C/06C/08Carearangeof1to8keytouchkeydeviceswhichcandetecthumanbodycontactusingexternaltouchpads.Thehighlevelofdeviceintegrationenableapplicationstobeimplementedwithaminimumnumberofexternalcomponents. Features Op	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰合泰半导体	Holtek
BSL806N	文件：241.69 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS806N	文件：251.6 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS806N	文件：247.24 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
BSS806N	文件：160.8 Kbytes Page：3 Pages	OptiMOS2Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	TYSEMITY Semiconductor Co., Ltd 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
BSS806NE	文件：572.61 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??Small-Signal-Transistor Features •N-channel •Enhancementmode •UltraLogiclevel(1.8Vrated) •ESDprotected •Avalancherated •QualifiedaccordingtoAECQ101 •100lead-free;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
ASRD806T
制造商：
ASI
制造商全称：
ASI
功能描述：
SURFACE MOUNT STEP RECOVERY DIODE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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