BU806分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料
BU806规格书详情
DESCRIPTION
The devices are silicon Epitaxial Planar NPN power transistors in Darlington configuration with integrated base-emitter speed-up diode, mounted in TO-220 plastic package.
They can be used in horizontal output stages of 110 oCRT video displays.
产品属性
- 产品编号:
BU806
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 50mA,5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN DARL 200V 8A TO220
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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