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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
ASDM30N90KQ | N-MOS Trench | ASDsemi 安森德 | ASDsemi | |
N-channel 900V - 30A - TO-247 Very fast PowerMESH IGBT 文件：159.35 Kbytes 页数：10 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode Features: • 1.5V typical saturation voltage of IGBT • Trench and Fieldstop technology for 900 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat 文件：304 Kbytes 页数：12 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode 文件：356.25 Kbytes 页数：12 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- VDS(V)：
30
- VGS (V)：
±20
- Vth (V)：
1-2.5
- RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=10V：
3
- RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=4.5V：
4.8
- ID (A) Tc=25℃：
90
- EAS (mJ)：
135
- Ciss (pF)：
2120
- Qg (nC)：
40
- Package：
TO-252
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ASCEND/安森德 |
25+ |
N/A |
10000 |
原厂一级代理 |
询价 | ||
ASCEND安森德 |
21+/22+ |
BGA |
6000 |
原装保证,持续供货 |
询价 | ||
ASCEND安森德 |
24+ |
TO-252 |
10000 |
只有原装 |
询价 | ||
ASCEND |
10 |
询价 | |||||
24+ |
N/A |
78000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
ASCEND |
24+ |
con |
10 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT23 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
ASDSEMI/安森德 |
22+ |
DFN3X3 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
xilinx |
22+ |
DFN-8(3x3) |
6800 |
询价 | |||
xilinx |
25+ |
DFN-8(3x3) |
6000 |
全新现货 |
询价 |
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更新时间2025-12-11 10:01:00
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- SI7909DN
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- SI7901EDN
- SI7940DP
- SI7956DP
- SI7980DP
- SI7902EDN
- SI7998DP
- SI7960DP
- SI7943DP
- SI7991DP
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- SI7983DP
- SI7973DP
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