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Marking：AS1；Package：SOT89；NPN Darlington transistors FEATURES •Highcurrent(max.0.5A) •Lowvoltage(max.80V) •Integrateddiodeandresistor. APPLICATIONS •Industrialswitchingapplicationssuchas: –Printhammer –Solenoid –Relayandlampdriving. DESCRIPTION NPNDarlingtontransistorinaSOT89plasticpackage.PNPcomplements:BS | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：AS10MM1；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=205AatTC=25°C •RDS(on)=8.7mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM •Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts •Lowe | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：AS120MM1；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；Final datasheet CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=22AatTC=25°C •RDS(on)=117mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*A •Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts •Lowestde | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：AS160MM1；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=17AatTC=25°C •RDS(on)=160mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*A •Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts •Lowestde | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
Marking：AS11DW；Package：SOT23-5；1.3A,2.3V-6V Input,1.5MHz Synchronous Step-Down Converter GENERALDESCRIPTION TheMT3410Lishigh-efficiency,highfrequency synchronousstep-downDC-DCregulatorICs capableofdeliveringupto1.3Aoutput currents.TheMT3410Lcanoperateoverawide inputvoltagerangefrom2.3Vto6Vandintegrates mainswitchandsynchronousswitchwithvery lo | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | ||
Marking：AS15；Package：TQFP48；141 Channel Voltage Buffers for TFT LCD | E-CMOSE-CMOS Corporation 飞虹高科飞虹高科股份有限公司 | E-CMOS | ||
Marking：AS15-HF；Package：TQFP-48L；141 Channels Voltage Buffer with OTP/OCP for TFT LCD | E-CMOSE-CMOS Corporation 飞虹高科飞虹高科股份有限公司 | E-CMOS | ||
Marking：AS15-G；Package：TQFP48；141 Channel Voltage Buffers for TFT LCD | E-CMOSE-CMOS Corporation 飞虹高科飞虹高科股份有限公司 | E-CMOS | ||
Marking：AS19-H1F；Package：TQFP48；181 Channel Voltage Buffers for TFT LCD | E-CMOSE-CMOS Corporation 飞虹高科飞虹高科股份有限公司 | E-CMOS | ||
Marking：AS19-H1G；Package：TQFP48；181 Channel Voltage Buffers for TFT LCD | E-CMOSE-CMOS Corporation 飞虹高科飞虹高科股份有限公司 | E-CMOS |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
表面帖装型 （SMD）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
1.5A
- 最大工作频率：
350MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BSP50,
- 最大耗散功率：
1.5W
- 放大倍数：
β>2000
- 图片代号：
H-99
- vtest：
60
- htest：
350000000
- atest：
1.5
- wtest：
1.5
详细参数
- 型号：
AS1
- 制造商：
Bogen Communications
- 功能描述：
SPEAKER WITH 1 WATT AMPLIFIER
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ALPHA |
24+ |
7700 |
询价 | ||||
ASTEC |
10+ |
DIP |
7800 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ALPHA |
24+ |
SO-8 |
3200 |
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电! |
询价 | ||
ALPHA |
24+/25+ |
8655 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ASTEC |
24+ |
SOT |
3500 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
ALPHA |
0036/9947 |
TO263-5 |
2500 |
全新原装现货绝对自己公司特价库 |
询价 | ||
AlphaIndustries |
17+ |
SOP |
12000 |
只做全新进口原装,现货库存 |
询价 | ||
E-CMOS |
19+ |
QFP48 |
64380 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
询价 | ||
ALPHA |
SOP-8 |
1000 |
原装长期供货! |
询价 | |||
AMS |
24+ |
SOP24W |
3629 |
原装优势!房间现货!欢迎来电! |
询价 |
