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SN74AS30D	文件：1.09158 Mbytes Page：21 Pages	Marking：AS30；Package：SOIC；8-INPUT POSITIVE-NAND GATES	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
SN74AS30DR	文件：1.09158 Mbytes Page：21 Pages	Marking：AS30；Package：SOIC；8-INPUT POSITIVE-NAND GATES	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
AIMBG120R030M1	文件：1.64867 Mbytes Page：16 Pages	Marking：AS30MM1；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；Final datasheet CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=70AatTC=25°C •RDS(on)=30mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*A •Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts •Lowestdev	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1

AIMBG120R030M1

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Marking：AS30MM1；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；Final datasheet CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET

Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=70AatTC=25°C •RDS(on)=30mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*A •Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts •Lowestdev

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

详细参数

型号：
AS30
制造商：
HOFFMAN ENCLOSURES
功能描述：
ENCLOSURE;ACCESSORY;HOLE SEAL;FOR 3-IN CONDUIT;4.12 DIA.;STEEL;GRAY
制造商：
Pentair Technical Products/Hoffman
功能描述：
HOLE SEAL, STEEL, 92MM; Plug Hole Dia -
Imperial：
3.62"; Plug Hole Dia -
Metric：
92mm; Enclosure
Material：
Steel; IP
Rating：
IP66; Highest NEMA
Rating：
13; Hole
Diameter：
92mm; Mounting Hole
Dia：
3.62; Outer
Diameter：
4.12" ;RoHS
Compliant：
Yes

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更多AS30供应商更新时间2025-5-29 14:08:00

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