| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Marking：AS30MM1；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；Final datasheet CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=70AatTC=25°C •RDS(on)=30mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*A •Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts •Lowestdev | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|
更多AS30MM1供应商
更新时间
