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Marking：AS120MM1；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；Final datasheet CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET Features •VDSS=1200VatTvj=-55...175°C •IDDC=22AatTC=25°C •RDS(on)=117mΩatVGS=20V,Tvj=25°C •Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*A •Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts •Lowestde | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
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