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BC1012KT	文件：615.17 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE High-SideSwitching LowOn-Resistance LowThreshold FastSwitchingSpeed ESDprotected APPLICATIONS Drivers:Relays,Solenoids,Lamps, BatteryOperatedSystems PowerSupplyConverterCircuits Load/PowerSwitchingCellPhones,Pagers Hammers,Displays,Memorie	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BCL-1012	文件：244.83 Kbytes Page：2 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor1/0AWGWire,StudSize1/2	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-1012-PL	文件：244.93 Kbytes Page：2 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor1/0AWGWire,StudSize1/2,Plated	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCL-1012-WP	文件：245.68 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor1/0AWGWire,StudSize1/2,Un-Plated,WidePad	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
BCW1012KW	文件：723.75 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS GENERRALDESCRIPTION ThisSingleN-ChannelMOSFEThasbeendesignedusingadvanced PowerTrenchprocesstooptimizetheRDS(ON). FEATURE High-SideSwitching LowOn-Resistance LowThreshold FastSwitchingSpeed ESDprotected APPLICATION Drivers:Relays,Solenoids,Lamps,Hammers,	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BF1012	文件：33.42 Kbytes Page：4 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage12VIntegratedstabilizedbiasnetwork SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage12V •Integratedstabilizedbiasnetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF1012S	文件：43.75 Kbytes Page：4 Pages	SiliconN-ChannelMOSFETTetrode(Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHzOperatingvoltage5VIntegratedstabilizedbiasnetwork) SiliconN-ChannelMOSFETTetrode •Forlownoise,highgaincontrolledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage5V •Integratedstabilizedbiasnetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BF1012W	文件：359.34 Kbytes Page：3 Pages	SILICONN-CHANNELMOSFETTETRODE(Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz) SILICONN-CHANNELMOSFETTETRODE •Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz •Operatingvoltage12V •IntegratedbiasNetwork	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BFB1012HH	文件：362.9 Kbytes Page：7 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta
BFB1012HH-A	文件：586.97 Kbytes Page：7 Pages	THISSPECIFICATIONDEFINESTHEELECTRICALANDMECHANICALCHARACTERISTICSOFTHEDCBRUSHLESSAXIALFLOWFAN.	deltaDelta Electronics, Inc. 台达电子台达电子工业股份有限公司	delta

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产品属性

产品编号：
ARE1012
制造商：
Panasonic Electric Works
类别：
继电器 > 高频（RF）继电器
系列：
ARE
包装：
管件
线圈类型：
无锁存
线圈电压：
12VDC
触头外形：
SPDT（1 Form C）
开关电压：
30VDC - 最大
必须吸合电压：
9 VDC
必须释放电压：
1.2 VDC
安装类型：
通孔
端接样式：
PC 引脚
工作温度：
-40°C ~ 70°C
描述：
RELAY RF SPDT 500MA 12V

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