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APT50GN60BG

Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

文件:9.86083 Mbytes 页数:44 Pages

MICROSEMI

美高森美

APT50GN60BG

Resonant Mode Combi IGBT

文件:137.27 Kbytes 页数:6 Pages

MICROSEMI

美高森美

APT50GN60BG

IGBT

文件:292.75 Kbytes 页数:6 Pages

ADPOW

APT50GN60B

Resonant Mode Combi IGBT

Microchip

微芯科技

APT50GN60BDQ2G

IGBT w/ anti-parallel diode

Microchip

微芯科技

APT50GN60BDQ3G

IGBT w/ anti-parallel diode

Microchip

微芯科技

APT50GN60BDQ2G

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 107A 366W TO247

MICROCHIP

微芯科技

APT50GN60BDQ3G

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT FIELDSTOP COMBI 600V 50A TO

MICROCHIP

微芯科技

APT50GN60BG

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 107A 366W TO247

MICROCHIP

微芯科技

详细参数

  • 型号:

    APT50GN60B

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全称:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    Resonant Mode Combi IGBT

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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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TO247
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更多APT50GN60B供应商 更新时间2026-4-17 16:42:00