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APT41M80L	文件：328.27 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 43A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.21Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：328.27 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT41M80L	文件：265.44 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET 文件：265.44 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT41M80L	文件：134.04 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET 文件：134.04 Kbytes 页数：4 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT41M80L	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Microchip 微芯科技	Microchip

详细参数

型号：
APT41M80L
功能描述：
MOSFET N-CH 800V 43A TO-264
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS 8™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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