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APT20GF120BR	文件：74.6 Kbytes Page：5 Pages	The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Fast IGBT The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-Punch Through Technology the Fast IGBT offers superior ruggedness, fast switching speed and low Collector-Emitter On voltage. • Low Forward Voltage Drop • High Freq. Switching to 20KHz • Low Tail Current • Ultr 文件：74.6 Kbytes 页数：5 Pages	ADPOW	ADPOW
APT20GF120BRD	文件：114.4 Kbytes Page：8 Pages	The Fast IGBT??is a new generation of high voltage power IGBTs. The Fast IGBT™ is a new generation of high voltage power IGBTs. Using NonPunch Through Technology the Fast IGBT™ combined with an APT free wheeling ultraFast Recovery Epitaxial Diode (FRED) offers superior ruggedness and fast switching speed. • Low Forward Voltage Drop • High Freq. Switching to 文件：114.4 Kbytes 页数：8 Pages	ADPOW	ADPOW
APT20GF120BRDQ1	文件：464.28 Kbytes Page：9 Pages	FAST IGBT & FRED The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-Punch through technology, the Fast IGBT combined with an APT free wheeling Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) offers superior ruggedness and fast switching speed. • Low Forward Voltage Drop • High Freq. Switching to 文件：464.28 Kbytes 页数：9 Pages	ADPOW	ADPOW
APT20GF120BRDQ1G	文件：464.28 Kbytes Page：9 Pages	FAST IGBT & FRED The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-Punch through technology, the Fast IGBT combined with an APT free wheeling Ultra Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) offers superior ruggedness and fast switching speed. • Low Forward Voltage Drop • High Freq. Switching to 文件：464.28 Kbytes 页数：9 Pages	ADPOW	ADPOW
APT20GF120BR	文件：300 bytes Page：1 Pages	Fast IGBT 1200V 32A	APT 晶科电子	APT
APT20GF120BRDQ1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 1200V 36A 200W TO247	Microchip 微芯科技	Microchip
APT20GF120BRG	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 1200V 32A 200W TO247	Microchip 微芯科技	Microchip
APT20GF120BRDG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT NPT COMBI 1200V 20A TO-247	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
APT20GF120BRDQ1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 36A 200W TO247	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
APT20GF120BRG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 32A 200W TO247	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

技术参数

电压 - 集射极击穿（最大值）：
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
36A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
64A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
3.2V @ 15V，15A
功率 - 最大值：
200W
开关能量：
895µJ（开），840µJ（关）
输入类型：
标准
栅极电荷：
100nC
25°C 时 Td（开/关）值：
10ns/120ns
测试条件：
800V，15A，4.3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247 [B]

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更多APT20GF120BR供应商更新时间2026-1-22 15:36:00

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