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APT20GF120BRDG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT NPT COMBI 1200V 20A TO-247	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
APT20GF120BR	文件：74.6 Kbytes Page：5 Pages	TheFastIGBTisanewgenerationofhighvoltagepowerIGBTs. FastIGBT TheFastIGBTisanewgenerationofhighvoltagepowerIGBTs.UsingNon-PunchThroughTechnologytheFastIGBTofferssuperiorruggedness,fastswitchingspeedandlowCollector-EmitterOnvoltage. •LowForwardVoltageDrop •HighFreq.Switchingto20KHz •LowTailCurrent •Ultr	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT20GF120BRD	文件：114.4 Kbytes Page：8 Pages	TheFastIGBT??isanewgenerationofhighvoltagepowerIGBTs. TheFastIGBT™isanewgenerationofhighvoltagepowerIGBTs.UsingNonPunchThroughTechnologytheFastIGBT™combinedwithanAPTfreewheelingultraFastRecoveryEpitaxialDiode(FRED)offerssuperiorruggednessandfastswitchingspeed. •LowForwardVoltageDrop •HighFreq.Switchingto	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT20GF120KR	文件：72.4 Kbytes Page：5 Pages	TheFastIGBTisanewgenerationofhighvoltagepowerIGBTs. FastIGBT TheFastIGBTisanewgenerationofhighvoltagepowerIGBTs.UsingNon-PunchThroughTechnologytheFastIGBTofferssuperiorruggedness,fastswitchingspeedandlowCollector-EmitterOnvoltage. •LowForwardVoltageDrop •HighFreq.Switchingto20KHz •LowTailCurrent •Ultr	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT20GF120KRG	文件：2.83336 Mbytes Page：44 Pages	PowerSemiconductorsPowerModules	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

产品属性

产品编号：
APT20GF120BRDG
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，15A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/93ns
测试条件：
792V，20A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247-3
描述：
IGBT NPT COMBI 1200V 20A TO-247

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更多APT20GF120BRDG供应商更新时间2024-5-18 14:14:00

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