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APT20GF120BRD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
APT20GF120BRD |
| 参数属性 | APT20GF120BRD 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 36A 200W TO247 |
| 功能描述 | The Fast IGBT??is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
114.4 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | ADPOW |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-10-21 16:10:00 |
| 人工找货 | APT20GF120BRD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
APT20GF120BRD规格书详情
The Fast IGBT™ is a new generation of high voltage power IGBTs. Using NonPunch Through Technology the Fast IGBT™ combined with an APT free wheeling ultraFast Recovery Epitaxial Diode (FRED) offers superior ruggedness and fast switching speed.
• Low Forward Voltage Drop
• High Freq. Switching to 20KHz
• Low Tail Current
• Ultra Low Leakage Current
• RBSOA and SCSOA Rated
• Ultrafast Soft Recovery Antiparallel Diode
产品属性
- 产品编号：
APT20GF120BRDQ1G
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.2V @ 15V，15A
- 开关能量：
895µJ（开），840µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
10ns/120ns
- 测试条件：
800V，15A，4.3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 1200V 36A 200W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
22+ |
原厂原封 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
询价 | ||
MICROCHIP/微芯 |
26+23+ |
20734 |
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询价 | |||
MICROSEMI/美高森美 |
25+ |
TO247 |
20000 |
原装 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
22+ |
TO247 [B] |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO247 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
APT |
2021+ |
TO-247 |
5800 |
原装现货,欢迎来电咨询 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
TO-247 [B] |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
MICROCHIP |
23+ |
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专注配单,只做原装进口现货 |
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MICROSEMI/美高森美 |
26+ |
TO247 |
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一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
26+ |
TO-247-3 |
9350 |
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询价 |
