首页 >APT20GN60BDQ1G>规格书列表
| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
APT20GN60BDQ1G | High Speed PT IGBT 文件：160.73 Kbytes 页数：9 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | |
APT20GN60BDQ1G | Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs 文件：9.86083 Mbytes 页数：44 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | |
APT20GN60BDQ1G | Power Semiconductors Power Modules 文件：2.83336 Mbytes 页数：44 Pages | Microsemi 美高森美 | Microsemi | |
APT20GN60BDQ1G | IGBT 文件：431.74 Kbytes 页数：9 Pages | ADPOW | ADPOW | |
APT20GN60BDQ1G | IGBT w/ anti-parallel diode | Microchip 微芯科技 | Microchip | |
APT20GN60BDQ1G | Package：TO-247-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 40A 136W TO247 | Microchip 微芯科技 | Microchip |
产品属性
- 产品编号：
APT20GN60BDQ1G
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，20A
- 开关能量：
230µJ（开），580µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
9ns/140ns
- 测试条件：
400V，20A，4.3 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 600V 40A 136W TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
22+ |
原厂原封 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
询价 | ||
MICROSEMI |
638 |
原装正品 |
询价 | ||||
Microch |
20+ |
NA |
33560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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MICROSEMI |
25+ |
TO-247 |
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Microsemi Corporation |
22+ |
TO247 [B] |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
23+ |
TO247 [B] |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
TO-247 [B] |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Microchip Technology |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
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