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APT20GF120BRDQ1G数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
APT20GF120BRDQ1G |
参数属性 | APT20GF120BRDQ1G 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 36A 200W TO247 |
功能描述 | IGBT 1200V 36A 200W TO247 |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | Microchip Microchip Technology |
中文名称 | 微芯科技 微芯科技股份有限公司 |
原厂标识 | Microchip |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 12:30:00 |
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技术参数
- 制造商编号
:APT20GF120BRDQ1G
- 生产厂家
:Microchip
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:1200V
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:36A
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
:64A
- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
:3.2V @ 15V,15A
- 功率 - 最大值
:200W
- 开关能量
:895µJ(开),840µJ(关)
- 输入类型
:标准
- 栅极电荷
:100nC
- 25°C 时 Td(开/关)值
:10ns/120ns
- 测试条件
:800V,15A,4.3 欧姆,15V
- 工作温度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:通孔
- 封装/外壳
:TO-247-3
- 供应商器件封装
:TO-247 [B]
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ADPOW |
23+ |
原厂原包 |
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询价 | ||
APT |
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26 |
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23+ |
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MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO247 |
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MICROSEMI |
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TO247 |
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APT |
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原厂原封 |
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