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BCL-2012-PL	文件：246.1 Kbytes Page：3 Pages	CompressionStyleRingTongueTerminalfor2/0AWGWire,StudSize1/2,Plated	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕公司MOLEX莫仕公司	MOLEX4
BGA2012	文件：85.5 Kbytes Page：12 Pages	1900MHzhighlinearlownoiseamplifier DESCRIPTION SiliconMonoliticMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)amplifierconsistingofanNPNdoublepolysilicontransistorwithintegratedbiasingforlowvoltageapplicationsina6-pinSOT363plasticSMDpackage. FEATURES •Lowcurrent,lowvoltage •Highlinearity •Highpowergain •	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGA2012	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BIBD2012	文件：262.51 Kbytes Page：2 Pages	AluminumMultipleTapConnector,ClearInsulated,12Port,2SidedEntry,14-2/0Awg,Al/CuRated	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
BIBD2012FX	文件：258.089 Kbytes Page：1 Pages	MULTI-PORTDouble-SidedEntry.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
BIBD2012FXMT	文件：258.75 Kbytes Page：1 Pages	MOUNTINGVERSION;MULTI-PORTDouble-SidedEntry.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
BIBD2012MT	文件：263.46 Kbytes Page：2 Pages	AluminumMultipleTapConnectorW/MountHoles,ClearInsulated,12Port,2SidedEntry,14-2/0Awg,Al/CuRated	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
BIBS2012	文件：262.9 Kbytes Page：2 Pages	MULTI-PORTSingle-SidedEntry.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
BIBS2012FX	文件：259.55 Kbytes Page：2 Pages	MULTI-PORTSingle-SidedEntry.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
BIBS2012FXMT	文件：260.67 Kbytes Page：2 Pages	MOUNTINGVERSIONMULTI-PORTSingle-SidedEntry.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
BIBS2012MT	文件：263.66 Kbytes Page：2 Pages	MOUNTINGVERSIONMULTI-PORTSingle-SidedEntry.	HUBBELLHUBBELL INCORPORATED 哈伯尔公司	HUBBELL
BIH2012OB	文件：163.32 Kbytes Page：2 Pages	Inputimpedanceis75廓.	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
BQ2012	文件：1.05528 Mbytes Page：26 Pages	GasGaugeICWithSlow-ChargeControl	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
BQ2012	文件：188.33 Kbytes Page：20 Pages	GasGaugeICWithSlow-ChargeControl	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ2012SN	文件：188.33 Kbytes Page：20 Pages	GasGaugeICWithSlow-ChargeControl	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ2012SN	文件：1.05528 Mbytes Page：26 Pages	GasGaugeICWithSlow-ChargeControl	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
BQ2012SNN	文件：188.33 Kbytes Page：20 Pages	GasGaugeICWithSlow-ChargeControl	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BRC2012	文件：695.21 Kbytes Page：12 Pages	WIRE-WOUNDCHIPPOWERINDUCTORS(BRSERIES)	TAIYO-YUDENTaiyo Yuden (U.S.A.), Inc 太阳诱电太阳诱电株式会社	TAIYO-YUDEN
BRL2012	文件：695.21 Kbytes Page：12 Pages	WIRE-WOUNDCHIPPOWERINDUCTORS(BRSERIES)	TAIYO-YUDENTaiyo Yuden (U.S.A.), Inc 太阳诱电太阳诱电株式会社	TAIYO-YUDEN
BTD2012FP	文件：175.59 Kbytes Page：5 Pages	LowVcesatNPNEpitaxialPlanarTransistor Features •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage,typicallyVCE(SAT)=0.25VatIC/IB=2A/0.2A •ExcellentDCcurrentgaincharacteristics •Highallowablepowerdissipation,PD=25W(TC=25℃) •Largecurrentcapability •Pb-freepackage Applications •DC-DCconverter,relaydrivers,l	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC

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更多APT2012SGC其他LED光源芯片供应商更新时间2024-6-1 14:34:00

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