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BGA2012

丝印:A6-;Package:SOT-363;1900 MHz high linear low noise amplifier

DESCRIPTION Silicon Monolitic Microwave Integrated Circuit (MMIC) amplifier consisting of an NPN double polysilicon transistor with integrated biasing for low voltage applications in a 6-pin SOT363 plastic SMD package. FEATURES • Low current, low voltage • High linearity • High power gain •

文件:85.5 Kbytes 页数:12 Pages

PHI

飞利浦

PHI

BGA2012

丝印:A6-;Package:SOT-363;RF Manual 16th edition

General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p

文件:9.37507 Mbytes 页数:130 Pages

恩XP

恩XP

BGA2012

1900 MHz高线性度低噪声放大器

由具有集成式偏置特性的一个NPN双多晶硅晶体管组成的硅单片微波集成电路(MMIC)放大器。 用于调节偏置电流的控制引脚\n高线性度\n高功率增益\n集成式温度补偿偏置\n低电流\n低噪声;

恩XP

恩智浦

恩XP

BIBD2012

Aluminum Multiple Tap Connector, Clear Insulated, 12 Port, 2 Sided Entry, 14-2/0 Awg, Al/Cu Rated

文件:262.51 Kbytes 页数:2 Pages

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

BIBD2012FX

MULTI-PORT Double-Sided Entry.

文件:258.089 Kbytes 页数:1 Pages

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

BIBD2012FXMT

MOUNTING VERSION; MULTI-PORTDouble-Sided Entry.

文件:258.75 Kbytes 页数:1 Pages

HUBBELL

HUBBELL INCORPORATED

详细参数

  • 型号:

    BGA2012

  • 功能描述:

    射频放大器 MMAMPLIFIER 1.9GHZ

  • RoHS:

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型:

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率:

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB:

    18.5 dBm

  • 输出截获点:

    37.5 dBm

  • 功率增益类型:

    32 dB

  • 噪声系数:

    0.85 dB

  • 工作电源电压:

    5 V

  • 电源电流:

    125 mA

  • 测试频率:

    2.6 GHz

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    QFN-16

  • 封装:

    Reel

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BGA2012供应商 更新时间2025-10-4 9:05:00