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APT1201R4BFLLG	文件：418.72 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS 7 FREDFET 文件：418.72 Kbytes 页数：5 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
APT1201R4BFLLG	文件：300 bytes Page：1 Pages	FREDFETs ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
APT1201R4BLL	文件：69.76 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. POWER MOS 7™ Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7TMby significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7TM combines lower conduction and switching losses along wit 文件：69.76 Kbytes 页数：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT1201R4SFLL	文件：418.26 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS 7 R FREDFET • Lower Input Capacitance • Lower Miller Capacitance • Lower Gate Charge, Qg • Increased Power Dissipation • Easier To Drive • TO-247 or Surface Mount D3PAK Package 文件：418.26 Kbytes 页数：5 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
APT1201R4SFLL	文件：124.23 Kbytes Page：4 Pages	POWER MOS 7 FREDFET 文件：124.23 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW

详细参数

型号：
APT1201R4BFLLG
功能描述：
MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS 7®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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