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APT10M09B2VR	文件：39.9 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •IdenticalSpecific	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT10M09B2VR	文件：337.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT10M09B2VFR	文件：301.54 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSV짰FREDFET	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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详细参数

型号：
APT10M09B2VR
制造商：
ADPOW
制造商全称：
Advanced Power Technology
功能描述：
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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