APT10M09B2VR规格书应用电路原装现货ISC-114ic电子网

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
APT10M09B2VR	文件：39.9 Kbytes Page：2 Pages	Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Identical Specific 文件：39.9 Kbytes 页数：2 Pages	ADPOW	ADPOW
APT10M09B2VR	文件：337.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 9mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：337.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT10M09B2VR	文件：300 bytes Page：1 Pages	POWER MOS V 100V 100A 0.009 Ohm	APT 晶科	APT
APT10M09B2VFR	文件：301.54 Kbytes Page：5 Pages	POWER MOS V짰 FREDFET 文件：301.54 Kbytes 页数：5 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
APT10M09B2VFR	文件：420.23 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：420.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
APT10M09B2VFR	文件：149.66 Kbytes Page：4 Pages	POWER MOS V FREDFET 文件：149.66 Kbytes 页数：4 Pages	ADPOW	ADPOW

型号：
APT10M09B2VR
制造商：
ADPOW
制造商全称：
Advanced Power Technology
功能描述：
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

更多APT10M09B2VR供应商更新时间2025-12-1 10:50:00